微电子行业SEM样品制备方法及应用 

徕卡精研一体机TXP可以对样品进行准确定位研磨，高效率的处理以往难以制备的样品。徕卡三离子束切割抛光仪TIC3X可对样品进行无应力损伤和无磨料污染的氩离子束切割抛光，确保样品适合高倍率扫描电镜图像观察，或者EDS和EBSD分析。徕卡超薄切片机UC7是利用钻石刀对样品进行精细准确切割，非常适合于铜、铝和高分子膜层的截面制备。

TXP是徕卡研发的集切割、研磨、抛光、铣削和冲钻五位一体的多功能精研一体机。

以TXP制备电子样品的应用举例：

 

芯片缺陷点剖析

 

样品描述

样品为厚度400微米长度25左右毫米的硅片基底芯片，反面粘有塑料薄片。（缺陷点的记号笔标记位置）

使用金相显微镜放大200倍后发现右起第三根指针有一小截与第四根指针相连，为缺陷位置，需要从中间刨开。

（红圈为目标位置，大约 8μm）

第一步

用金刚石锯片切断样品，距离目标位置800μm左右。（TXP精研一体机省去包埋）

（加工角度，样品倾斜30度观察）

 

第二步

转速1500转/分钟，400#碳化研磨砂纸，研磨量600μm。研磨过程芯片边缘不破损，平整无倒角！

（芯片正面观察角度，400#碳化硅砂纸研磨之后）

 

第三步

转速2300转/分钟，9微米金刚石砂纸研磨，研磨量120μm，研磨之后样品划痕变细。

 

第四步

转速2300转/分钟，2微米金刚石砂纸研磨，研磨量为60μm，研磨之后样品划痕变细！

 

第五步

转速2300转/分钟，0.5μm金刚石砂纸研磨，研磨量为20μm，研磨之后样品面到达观察分析要求！

 

芯片制样结果

（芯片表面观察角度）

（芯片截面观察角度）